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元件参数资料
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参数目录49993
> PMF400UN,115 MOSFET N-CH 30V 830MA SOT-323
型号:
PMF400UN,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 30V 830MA SOT-323
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PMF400UN,115 PDF
产品目录绘图
PMF400UN
标准包装
1
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
830mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
480 毫欧 @ 200mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.89nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
43pF @ 25V
功率 - 最大
560mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商设备封装
SC-70
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1508 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
568-3244-1
查看PMF400UN,115代理商
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